DB하이텍, 갈륨나이트라이드 전력반도체 공정 개발 완료

박지은 기자 입력 2025.09.11 11:01

다음달 말부터 시험 생산용 웨이퍼 제공
GaN, 차세대 전력반도체 소재로 주목
2026년 말까지 추가 공정 순차 개발

[아이뉴스24 박지은 기자] DB하이텍이 차세대 전력반도체인 '650볼트(V)급 전계모드 갈륨나이트라이드 고전자이동도 트랜지스터(E-Mode GaN HEMT)' 공정 개발을 마무리하고 다음 달 말부터 고객사에 시험 생산용 웨이퍼를 제공한다고 11일 밝혔다.

갈륨나이트라이드(GaN)는 기존 실리콘 보다 고전압, 고주파, 고온에 강하며 전력 효율이 높아 실리콘카바이드(SiC)와 함께 차세대 전력 반도체 소재로 주목받고 있다.

DB하이텍 사옥 전경. [사진=DB하이텍]

인공지능(AI) 데이터센터, 전기차, 고속충전, 5G 네트워크, 로봇 등 신규 분야에서 수요도 급증하는 추세다.

시장조시가관인 욜디벨롭먼트에 따르면, GaN 시장은 올해 5억3000만달러(약 7352억 6900만원)에서 오는 2029년 20억1300만 달러(2조 7926억원)로 연평균 40%가량 성장할 전망이다.

DB하이텍이 개발한 E-Mode GaN HEMT는 고속 스위칭과 안정성이 특징으로 전기차 충전기와 데이터센터용 전력변환기, 5G 통신 분야에 활용될 수 있다는 게 회사의 설명이다.

DB하이텍은 이번 650V GaN HEMT 공정 개발을 시작으로 IC(집적회로) 형태로 설계할 수 있는 200V GaN 공정과 650V GaN 공정을 2026년 말까지 순차 개발할 예정이다.

충북 음성에 자리한 상우캠퍼스에 클린룸 확장도 추진 중이다. 회사 측에 따르면 신규 클린룸은 8인치 웨이퍼 월 3만 5000장가량을 증설할 수 있는 규모로, GaN을 비롯해 BCDMOS, SiC 등이 생산될 예정이다.

증설이 완료되면 DB하이텍의 생산능력은 현재 15만 4000장 대비 23% 증가한 19만 장이 된다.

DB하이텍 관계자는 "세계 최초로 0.18um BCDMOS(복합전압소자)를 개발하는 등 Si 기반 전력반도체에서 이미 글로벌 기술경쟁력을 인정받고 있으며, GaN 공정의 추가로 전력반도체 파운드리 기업으로서 회사의 경쟁력이 더욱 강화될 것으로 기대된다"고 밝혔다.

한편, DB하이텍은 오는 15~18일 부산 벡스코에서 열리는 '국제탄화규소 학술대회'에 참가한다.

/박지은 기자(qqji0516@inews24.com)

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