삼성전자, 4나노 초저전력 공정 기술력 입증

대한민국 엔지니어상 수상 기술 HBM4 베이스다이에 적용 4나노 공정 가동률 회복…HBM·AI 반도체 수요 확대 [아이뉴스24 박지은 기자] 삼성전자의 4나노 초저전력 공정 기술이 대외적으로 경쟁력을 인정받았다.고대역폭메모리(HBM) 베이스다이에 적용된 핵심 기술이 대한민국 엔지니어상을 수상한 데 이어, 4나노 공정 가동률도 회복세를 보이며 파운드리 경쟁력 강화에 힘을 보태고 있다.최정민 파운드리사업부 PL [사진=삼성전자 DS 뉴스룸]23일 삼성전자에 따르면 파운드리사업부 최정민 PL은 3차원 구조 트랜지스터(FinFET) 기반 4나노 초저전력 반도체 공정 기술 개발 성과를 인정받아 올해 3월 대한민국 엔지니어상을 수상했다.최 PL은 반도체 소자 구조와 공정, 설계를 최적화해 소비전력을 줄이면서 성능을 높이는 초저전력 공정 기술 개발을 주도했다. 해당 기술은 삼성전자가 세계 최초로 양산 출하한 HBM4 베이스다이에도 적용됐다.최 PL은 삼성전자 반도체 뉴스룸 인터뷰에서 "4나노 초저전력 공정을 선제적으로 도입해 HBM4 베이스다이 개발과 양산에도 기여했다"고 말했다.업계에서는 이번 수상이 삼성전자 파운드리의 선단 공정 기술력을 보여주는 사례로 보고 있다. HBM 시장이 확대되면서 로직 다이를 생산하는 파운드리 공정의 중요성도 함께 커지고 있기 때문이다.실제 삼성전자 파운드리사업부의 4나노 공정은 최근 가동률이 회복되고 있는 것으로 알려졌다. 업계에서는 사실상 생산능력 최대치(풀캐파) 수준으로 가동되고 있다는 관측도 나온다.이 같은 변화의 배경으로는 HBM4와 인공지능(AI) 반도체 수요 확대가 꼽힌다. 삼성전자는 자체 4나노 공정을 적용한 로직 다이를 HBM4와 HBM4E 제품에 적용했으며, 세계 최초 HBM4 양산 출하와 HBM4E 샘플 출하를 잇달아 달성했다.AI 시장이 학습 중심에서 추론 중심으로 이동하면서 맞춤형 인공지능 반도체(ASIC)와 AI 추론칩 수요도 늘고 있다. 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 지난 3월 열린 GTC 2026에서 차세대 플랫폼 '베라 루빈'에 탑재되는 그록3 LPU 생산과 관련해 삼성전자 4나노 공정을 언급하기도 했다.업계는 AI 반도체 시장 확대에 따라 HBM용 로직 다이와 AI 반도체 생산 수요가 늘면서 선단 공정의 중요성이 더욱 커질 것으로 보고 있다. 메모리와 파운드리, 패키징, 설계를 아우르는 삼성전자의 AI 반도체 사업 경쟁력도 한층 부각될 것이라는 전망이 ...