삼성전자, 400단 넘은 10세대 V낸드 공개

비트 밀도 58%·입출력 속도 33% 향상 400단 한 번에 안 쌓아…3개로 나눠 연결 셀·주변회로 따로 만들어 붙여…128TB SSD까지 [아이뉴스24 권서아 기자] 삼성전자가 400단 이상을 쌓은 10세대 V낸드 'V10 BV-낸드'의 세부 기술을 공개했다. 비트(데이터의 단위) 밀도와 데이터 처리 속도를 높이면서 전력 소모를 줄인 제품이다.삼성전자는 31일 반도체 뉴스룸을 통해 V10 BV-낸드의 개발 배경과 주요 기술을 소개했다. V10은 이달 미국에서 열린 'FMS 2026'에서 공개됐으며 '3D·낸드 혁신상'을 받았다.V10 BV-NAND 목업. [사진=삼성전자 뉴스룸]V10은 400단 이상의 워드라인(WL)을 구현한 10세대 V낸드다. 단위 면적에 저장할 수 있는 데이터양을 뜻하는 비트 밀도는 전 세대인 V9보다 58% 이상 높아졌다.데이터 입출력(I/O) 속도는 4.8기가비트(Gbps) 이상으로 V9 대비 33% 넘게 빨라졌다. 반면 전력 소비는 25% 이상 줄였다.인공지능(AI) 데이터센터에서 처리해야 하는 데이터양이 급증하면서 저장장치의 용량뿐 아니라 속도와 전력 효율까지 중요해진 데 대응한 것이다.FMS 2026 삼성전자 키노트 발표. [사진=삼성전자 뉴스룸]400단 이상을 구현한 핵심은 '3스택 고종횡비(HARC) 머지' 기술이다. 셀을 한 번에 400단 넘게 쌓는 대신 3개 적층부로 나눠 각각 만든 뒤 수직으로 연결하는 방식이다.낸드는 층수가 높아질수록 깊고 좁은 구멍을 균일하게 뚫기 어려워지고 공정 단계와 제조비용도 늘어난다.삼성전자는 3스택 방식에 멀티 홀과 제로 더미 홀 기술을 적용해 이런 공정 부담을 낮췄다.정다운 플래시개발실 PL은 "400단 이상의 초고층 V낸드를 구현하면서 공정 단계와 제조비용 증가, 공정 난도를 함께 해결해야 했다"며 "HARC 머지와 멀티 홀, 제로 더미 홀 기술로 집적도와 제조 효율성을 동시에 확보했다"고 말했다.(왼쪽부터) 신지연 TL, 김병희 PL, 정다운 PL, 박상수 PL. [사진=삼성전자 뉴스룸]반도체 원판(웨이퍼) 본딩 기술도 적용했다. 데이터를 저장하는 셀과 이를 제어하는 주변회로를 서로 다른 웨이퍼에서 따로 만든 뒤 수직으로 붙이는 방식이다.셀과 주변회로를 각각 최적화할 수 있어 주변회로 성능을 높이고 칩 면적을 줄이는 데 유리하다. 삼성전자는 주변회로의 트랜지스터 특성과 신호전송 구조도 개선해 4.8Gbps 이상의 I/O 속도를 구현했다....