中은 EUV도 막혔는데…삼성·TSMC·인텔, ASML과 '초격차'[종합]

하이 NA 이어 12인치 마스크 생태계까지 차세대 반도체 제조기술 선점 中 2019년부터 EUV 도입 막혀 [아이뉴스24 박지은·황세웅 기자] 중국 반도체 업체들이 첨단 노광장비 확보에 어려움을 겪는 사이 삼성전자와 TSMC, 인텔이 '슈퍼 을(乙)' ASML과 차세대 반도체 제조기술 선점에 속도를 내고 있다.기존 극자외선(EUV)보다 더 미세한 회로를 그릴 수 있는 고개구율(High NA) EUV를 양산에 적용하고, 수십년간 사용해온 6인치 포토마스크를 12인치로 키우는 작업까지 함께 추진하는 것이다. ASML은 현 시점에서 첨단 반도체 양산에 필요한 EUV 장비를 생산할 수 있는 유일한 기업으로 꼽힌다.인텔 팹(Fab) 25에 위치한 ASML의 EXE 5000 하이 NA EUV 장비. [사진=인텔]중국의 반도체 추격이 빨라지는 상황에서 선두 업체들이 장비뿐 아니라 다음 세대 제조 표준까지 먼저 구축하면서 기술 격차를 벌릴 수 있을지 주목된다.파운드리 1등 TSMC, 메모리 1등 삼성전자, 로직 강자 인텔과 협력ASML은 8일 삼성전자·TSMC·인텔과 하이 NA EUV 및 대형 포토마스크 관련 협력 계획을 잇달아 공개했다.세 업체는 메모리와 파운드리, 로직 반도체를 대표하는 기업들로 하이 NA를 적용하는 분야와 시기는 서로 다르다.가장 앞선 곳은 인텔이다. 인텔은 이미 최신 PC용 프로세서 일부 공정에 하이 NA EUV를 사용하고 있다.삼성전자는 오는 2028년 첨단 D램 양산에 하이 NA EUV를 업계 최초로 적용한다는 목표를 세웠다.전영현 삼성전자 대표이사 겸 디바이스솔루션(DS) 부문장(부회장)이 지난 6월8일 서울 중구 신라호텔에서 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)와 면담을 하기 위해 이동하고 있다.[사진=정소희 기자]세계 최대 파운드리 TSMC는 오는 2030년부터 첨단공정 양산에 도입할 계획이다.하이 NA EUV는 쉽게 말해 반도체 회로를 기존보다 더 가늘고 정교하게 그릴 수 있는 장비다.반도체 회로가 미세해질수록 기존 장비로는 같은 부분을 여러 번 나눠 찍어야 하는 공정이 늘어나는데, 하이 NA를 사용하면 일부 공정을 한 번의 노광으로 줄일 수 있어 제조 단계와 비용을 낮출 여지가 생긴다.로이터는 "ASML이 주요 고객사들과 하이 NA를 대형 데이터센터용 칩에도 효율적으로 사용할 수 있도록 관련 기술을 준비하고 있다"고 전했다. AI 반도체가 커지고 구조도 복잡해지면서 얼마나 미세하게 만드느냐...