中 '4F²' 발표에 놀란 시장…삼성·하이닉스 추월은 '아직'

CXMT 연내 출시 예고에도 양산 시점·수율 미공개 삼성·SK도 4F² 개발 중…기존 공정 격차 5~7년 마이크론·샌디스크도 하락…AI 투자 속도조절론 부상 [아이뉴스24 권서아 기자] 중국 최대 D램 업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 차세대 '4F²(포에프스퀘어)' 기술을 적용한 서버용 메모리를 연내 선보이겠다고 밝히면서 글로벌 반도체 시장이 출렁였다.CXMT가 삼성전자와 SK하이닉스보다 먼저 차세대 기술을 상용화할 수 있다는 우려가 확산했지만, 이를 곧바로 기술 추월로 해석하기는 이르다는 게 업계의 평가다. CXMT가 제품의 공정 선폭과 성능은 물론 수율과 양산 규모도 공개하지 않았기 때문이다.15일 업계에 따르면 CXMT는 지난 10일 4F² 기술을 적용한 서버용 DDR5 메모리 모듈(RDIMM)을 연내 출시하겠다고 밝혔다.중국 CXMT 관련 이미지. [사진=로이터, 연합뉴스]4F²는 D램에서 데이터를 저장하는 최소 단위인 셀(Cell)의 면적을 줄이는 기술이다. 기존 6F²보다 셀 면적을 이론적으로 약 33% 줄일 수 있다. 같은 공간에 최대 50% 더 많은 셀을 배치할 수 있지만 공정 난도가 높아 수율(정상품 비율) 확보가 관건이다.문제는 실제 양산 능력이다. CXMT는 연내 제품 출시를 예고했을 뿐 구체적인 양산 일정과 수율, 생산 규모 등을 공개하지 않았다. 업계에서는 의미 있는 양산 물량이 나오는 시점을 이르면 내년 말, 현실적으로는 2028년 상반기로 예상한다.4F²라고 기존 6F²보다 집적도가 반드시 높은 것도 아니다. 권석준 성균관대 화학공학부 교수의 분석에 따르면 15나노미터(㎚) 기반 4F²와 12.2나노미터 기반 6F²의 셀 면적은 각각 약 900제곱밀리미터(㎚²)와 893㎚²로 비슷하다. 다만 CXMT가 실제 적용한 선폭은 공개되지 않았다.삼성전자(왼쪽), SK하이닉스 사옥 전경. [사진=각 사]中 공정 기술 격차 여전…DDR5 수익 재투자는 변수기존 D램 공정에서도 격차가 존재한다. 업계에서는 CXMT가 국내 기업보다 3~4년 뒤처졌다고 평가한다. 김동원 KB증권 리서치본부장은 이날 보고서에서 삼성전자와 CXMT의 공정 격차를 양산 시점 기준 5~7년으로 분석했다.D램 공정은 1x(1세대)→1y(2세대)→1z(3세대)→1a(4세대)→1b(5세대)→1c(6세대) 순으로 발전해 왔다. CXMT의 주력인 1z는 삼성전자가 2019년 9월 양산한 기술이다. CXMT가 지난달 양산에 착수...