아이멕, 300mm GaN 오픈 이노베이션 프로그램 트랙 발표

엑시트론의 300mm GaN-on-Si 웨이퍼를 아이멕이 p-GaN 식각 후 KLA 코퍼레이션의 8 시리즈CIRCLTM 검사 장비에서 분석하고 있다.

[아이티비즈 김문구 기자] 나노전자공학 및 디지털 기술 분야 글로벌 연구개발 기관 아이멕이 저∙고전압 전력 전자 애플리케이션을 위한 300밀리미터(mm) 질화갈륨(GaN) 오픈 이노베이션 프로그램 트랙을 발표했다.

300mm GaN 프로그램 트랙은 GaN 전력 전자에 관한 아이멕의 산업 제휴 프로그램(IIAP)의 일환으로, 엑시트론, 글로벌파운드리, KLA코퍼레이션, 시놉시스, 비코가 첫 파트너로 참여한다.

해당 프로그램은 300mm GaN 에피 성장과 저∙고전압 GaN 고전자이동도 트랜지스터(HEMT) 공정 플로우 개발을 목표로 한다. 300mm 기판을 사용하면 GaN 소자 제조 비용을 절감할 뿐만 아니라 CPU와 GPU를 위한 효율적인 저전압 POL(Point-Of-Load) 컨버터와 같은 첨단 전력 전자 소자 개발도 가능하다.

스테판 드쿠테르 아이멕 GaN 전력 전자 프로그램 펠로우 겸 프로그램 디렉터는 “300mm 웨이퍼 전환의 이점은 생산 확대와 제조 비용 절감에 그치지 않는다. 아이멕의 CMOS 호환 GaN 기술은 300mm 최첨단 장비에 접근 가능해 GaN 기반 전력 소자를 개발할 수 있게 됐다”며, “대표적으로 POL컨버터에 사용할 수 있도록 극도로 스케일링된 저전압 p-GaN 게이트 HEMT가 있다. 이는 CPU와 GPU의 에너지 효율적인 전력 분배를 지원한다"고 말했다.