SK하이닉스, 메모리 업계 첫 양산용 'High NA EUV' 장비 도입

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기존 대비 정밀 회로 1.7배 집적도 2.9배 구현

[아이뉴스24 설재윤 기자] SK하이닉스는 메모리 업계 최초로 양산용 High NA EUV 노광 장비를 이천 M16팹(Fab)에 반입했다고 3일 밝혔다.

High NA EUV는 기존 장비보다 개구수(NA)를 크게 높여 해상도를 강화한 차세대 노광 장비로, 현존 가장 미세한 회로 패턴 구현이 가능하다. 선폭 축소 및 집적도 향상에 핵심 역할을 할 것으로 기대된다.

이날 이천캠퍼스에서 열린 반입 행사에는 ASML코리아 김병찬 사장, SK하이닉스 차선용 최고기술책임자(CTO) 부사장, 이병기 제조기술 담당 부사장 등이 참석해 차세대 D램 생산 장비 도입을 기념했다.

SK하이닉스는 "치열한 글로벌 반도체 경쟁 환경에서 고객 니즈에 부응하는 첨단 제품을 신속하게 개발하고 공급할 수 있는 기반을 마련하게 됐다"며 "파트너사와의 긴밀한 협력을 통해 글로벌 반도체 공급망의 신뢰성과 안정성을 한층 더 강화해 나가겠다"고 밝혔다.

반도체 제조업체가 생산성과 제품 성능을 높이려면 미세 공정 기술 고도화가 필수다. 회로를 더 정밀하게 구현할수록 웨이퍼당 칩 생산량이 늘어나고 전력 효율과 성능도 함께 개선되기 때문이다.

회사는 지난 2021년 10나노급 4세대(1anm) D램에 EUV를 첫 도입한 이후 최첨단 D램 제조에 EUV 적용을 지속 확대해 왔다. 하지만 미래 반도체 시장에서 요구될 극한 미세화와 고집적화를 위해서는 기존 EUV 장비를 넘어서는 차세대 기술 장비가 필요하다.

이번에 도입한 장비는 네덜란드 ASML의 '트윈스캔 EXE:5200B'로 High NA EUV 최초의 양산용 모델이다. 기존 EUV(NA 0.33) 대비 40% 향상된 광학 기술(NA 0.55)로 1.7배 더 정밀한 회로 형성이 가능하고 2.9배 높은 집적도를 구현할 수 있다.

SK하이닉스는 이 장비를 통해 기존 EUV 공정을 단순화하고 차세대 메모리 개발 속도를 높여 제품 성능과 원가 경쟁력을 동시에 확보한다는 계획이다. 이를 기반으로 고부가가치 메모리 시장에서의 입지를 강화하고 기술 리더십을 더욱 공고히 한다는 전략이다.

차선용 CTO는 "이번 장비 도입으로 회사가 추진중인 미래 기술 비전을 실현하기 위한 핵심 인프라를 확보하게 됐다"며 "급성장하는 AI와 차세대 컴퓨팅 시장이 요구하는 최첨단 메모리를 가장 앞선 기술로 개발해 AI 메모리 시장을 선도하겠다"고 밝혔다.

/설재윤 기자(jyseol@inews24.com)

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