삼성전자, AI 메모리 '3대 전략' 공개…AMD 협력·엔비디아 칩 전시

HBM5·CXL·SSD 앞세워 AI 추론 시장 공략 AMD와 메모리 풀링 기술 시연해 서버 용량 한계 보완 엔비디아 '그록3' 웨이퍼와 삼성 2나노 공정 기술 공개 [아이뉴스24 권서아 기자] 삼성전자가 미국 실리콘밸리에서 차세대 인공지능(AI) 메모리 전략을 공개하고 AMD, 엔비디아 등 글로벌 반도체 기업과의 협력 성과를 선보였다.13일 삼성전자에 따르면 심호준 디바이스솔루션(DS)부문 메모리사업부 애플리케이션엔지니어링(AE)팀 상무는 지난 12일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이컨벤션센터에서 열린 'OCP 글로벌 서밋 2026'에서 속도·확장성·영속성에 초점을 맞춘 3대 메모리 전략을 발표했다.12일(현지시각) 미국 실리콘밸리에서 열린 'OCP Global Summit 2026'에서 삼성전자 DS부문 메모리사업부 AE팀 심호준 상무가 발표하고 있는 모습. [사진=삼성전자]심 상무는 차세대 고대역폭메모리(HBM)5와 고객 맞춤형 HBM으로 데이터 처리 속도를 높이고, 컴퓨트익스프레스링크(CXL) 기반 기술로 메모리 용량을 확장하겠다는 구상을 밝혔다. 대규모 AI 데이터 저장에는 차세대 기업용 솔리드스테이트드라이브(SSD)를 활용할 계획이다.이번 전략은 AI 시장이 학습에서 추론으로 확대되면서 달라진 메모리 수요에 대응하기 위한 것이다. AI 모델이 대형화하고 이전 대화나 처리 결과를 임시로 저장하는 'KV캐시(Key-Value Cache)'의 용량이 급증하면서 데이터 처리 속도뿐 아니라 메모리 용량과 저장 능력도 중요해지고 있다.삼성전자는 우선 데이터 처리 속도를 높이기 위해 HBM5와 고객 맞춤형 HBM을 개발하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 데이터 전송 속도를 높인 반도체로, AI 가속기의 핵심 부품이다.이번 행사에서는 HBM5 모형과 차세대 반도체 웨이퍼를 전시했다. 연산칩 위에 메모리를 적층하는 zHBM과 메모리 내부에서 일부 연산을 수행하는 PIM(Processing-In-Memory) 기술도 소개했다. 데이터 이동에 따른 시간과 전력 소모를 줄이기 위한 기술들이다.메모리 확장 분야에서는 AMD와의 협력이 주목된다. 삼성전자와 AMD는 CXL 기반 메모리 확장 기술을 공동 검증하고, 이를 활용한 '메모리 풀링' 기술을 시연한다.CXL은 중앙처리장치(CPU)와 메모리 등을 고속으로 연결하는 기술이다. 기존 서버는 장착할 수 있는 메모리 용량에 한계가 있지만, CXL을 활용하면 ...