삼성·SK하이닉스, 대만서 AI 메모리 승부...소부장도 총출동

삼성 zHBM·zNAND-O 공개…3D 메모리 청사진 제시 SK하이닉스 CXL·근접 연산 메모리로 데이터 병목 공략 엔비디아·마이크론도 출격…한미반도체 등 소부장 주목 [아이뉴스24 권서아 기자] 인공지능(AI) 반도체의 성능을 좌우하는 메모리와 첨단 패키징 경쟁이 대만에서 본격화한다. 삼성전자와 SK하이닉스가 차세대 메모리 전략을 공개한 가운데 엔비디아·마이크론 등 글로벌 기업과 한미반도체 등 국내 소부장 기업도 세미콘 타이완에 총출동한다.1일 업계에 따르면 '세미콘 타이완 2026'은 9월2~4일 대만 타이베이 난강전시센터에서 열린다. 다만 주요 포럼은 8월31일부터 진행됐으며, 삼성전자와 SK하이닉스는 9월1일 열린 메모리 이그제큐티브 서밋에 참여했다.최장석 삼성전자 DS부문 메모리사업부 상품기획팀장(상무)이 1일 타이베이에서 열린 세미콘 타이완 2026에서 메모리 기술 한계 극복을 위한 'CUBE' 전략을 발표했다. [사진=삼성전자]삼성전자는 이날 최장석 메모리사업부 상무가 '3차원(3D) 통합으로 AI 시대를 이끌다'를 주제로 차세대 메모리 전략을 소개했다. 핵심은 AI 가속기와 메모리를 더 가깝게 붙이는 3D 구조다.대표 기술인 zHBM은 기존처럼 AI 가속기 옆에 HBM을 배치하는 방식에서 나아가 가속기 상단에 HBM을 수직 적층하는 구조다. 데이터 이동 거리를 줄여 대역폭과 전력효율을 높이는 것이 핵심이다.삼성전자는 zHBM이 적용된 차세대 인터페이스 시스템이 다음 세대 제품인 HBM4E(세대) 대비 최대 8배 높은 성능을 낼 수 있다고 설명했다.zNAND-O는 V-NAND 기반의 차세대 고성능 NAND 솔루션이다.V-NAND의 수직 적층 기술에 실리콘관통전극(TSV)을 결합해 4단 또는 8단 칩을 3D 패키징한다. 높은 공간 효율과 데이터 입출력 성능, 낮은 지연시간을 확보해 실시간 데이터 처리가 필요한 엣지 AI 환경을 공략한다. 여기서 제품명 뒤의'O'는 'On-device AI'를 의미한다.SK하이닉스의 FMS 2026 전시 조감도. [사진=SK하이닉스]SK하이닉스는 메모리를 AI 시스템 설계 단계부터 함께 최적화하는 '코디자인'에 방점을 찍었다.김호식 부사장은 메모리 이그제큐티브 서밋에서 AI 시대 메모리의 역할 확대를 강조했으며, 컴퓨트익스프레스링크(CXL) 기반 연결 메모리와 근접 연산 메모리 등이 핵심 기술로 거론된다.CXL은 중앙처리장치(CPU)·그래픽처리장치(GPU)·메모리 등 ...