경쟁사들이 4F² DRAM에 집중하는 가운데 Micron은 왜 갑자기 포기하나

Micron은 20년 넘게 연구한 4F² DRAM을 당분간 제품화하지 않고, 기존 6F² 구조의 미세화를 이어가기로 함 커패시터에 필요한 간격이 실제 DRAM 밀도를 제한하므로, Micron은 4F² 전환의 밀도 이득은 크지 않은 반면 비용과 복잡성은 크게 늘어난다고 봄 Samsung, SK hynix, CXMT는 4F² 설계를 계속 추진하고 있으며, 경쟁사들이 경제적인 대량 생산에 성공한다면 Micron이 어려움을 겪을 가능성이 있음 Micron은 6F² 미세화와 첨단 웨이퍼 본딩을 거쳐 장기적으로 DRAM 저장 셀 자체를 여러 층으로 쌓는 3D DRAM으로 이동하려 함 이 전략은 4F²가 비싸고 수명이 짧은 우회로가 될 것이라는 베팅으로, 자금과 엔지니어링 역량을 보존해 모놀리식 3D DRAM의 경제성이 확보되는 시점에 먼저 도달하는 것이 목표임 6F²와 4F²가 뜻하는 것 로직 셀은 스위칭 트랜지스터로 구성되지만, DRAM 셀은 트랜지스터와 커패시터가 함께 필요해 미세화가 더 복잡함 DRAM은 오랫동안 6F² 셀 구조를 사용했으며, 4F²로 전환하면 이론적으로 밀도를 33% 높일 수 있음 6F²와 4F²는 공정 노드가 아니라 셀의 형상과 배치를 나타냄 실제 셀 크기는 배치와 공정 노드의 조합으로 결정됨 DRAM은 로직과 같은 방식으로 미세화되지 않으며, 노드 명명법도 다름 현재 DRAM 업체들은 1γ, 1δ처럼 그리스 문자 감마와 델타를 사용해 단계적인 개선을 표시함 Micron이 4F² 제품화를 포기한 이유 Micron은 수요일 웨비나에서 향후 제품 로드맵을 공개하며, 당분간 6F²를 유지하고 4F² 메모리 제품을 출시하지 않기로 함 사장 겸 CTO Scott DeBoer는 Micron이 4F²를 “발명”했고, 20년 넘게 상용화 방법을 연구한 끝에 포기했다고 밝힘 DeBoer에 따르면 DRAM 밀도는 명목상 셀 면적보다 커패시터에 필요한 간격에 의해 궁극적으로 결정됨 6F²에서 4F²로 바꿔도 실제 밀도 이득은 크지 않음 반면 전환에 따른 비용과 복잡성은 크게 증가함 경쟁사의 4F² 추진과 Micron의 6F² 로드맵 Samsung, SK hynix, CXMT는 모두 4F² 설계를 추진 중임 CXMT는 연말까지 서버용 DDR5 RDIMM에 4F² RAM을 적용하겠다고 밝혔으나, 해당 연도는 명시하지 않음 Micron은 대신 6F² DRAM의 적극적인 미세화를 추진함 고밀도 1δ(1-delta) 는 수율...