中 CXMT '4F² D램'에 의문⋯전문가 "양산 가능성 의심"

"대량 양산했다면 MI 장비 들어갔어야"⋯주요 장비업체 공급 여부에 의문 셀 면적 33% 줄이는 차세대 기술⋯인텔·AMD·엔비디아 채택 가능성도 지적 [아이뉴스24 황세웅 기자] 중국 창신메모리테크놀로지스(CXMT)가 차세대 D램 기술인 '포에프스퀘어(4F²)'를 앞세워 메모리 시장에서 기술 경쟁력을 높이려는 가운데 실제 대량 양산 가능성에 의문이 제기됐다.노근창 세미콘리서치랩 대표가 15일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 '제28회 반도체대전(SEDEX 2026)'에서 발표하고 있다. [사진=황세웅 기자]기술 개발 방향은 맞지만 관련 반도체 장비 투입과 글로벌 고객사의 검증 여부를 고려하면 상용화까지 넘어야 할 장벽이 적지 않다는 분석이다.15일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 '제28회 반도체대전(SEDEX 2026)'에서 노근창 세미콘리서치랩 대표는 '반도체 계측 및 검사(MI) 시장 동향'을 주제로 발표하며 CXMT의 4F² 기술에 대해 회의적인 시각을 드러냈다.노 대표는 "CXMT가 말하는 4F²는 엄청 의심이 많이 간다"라며 기술 상용화 가능성을 신중하게 평가했다.노 대표는 약 30년간 증권업계에서 반도체와 전자산업을 분석해 온 전문가다. 현대차증권 리서치센터장을 역임했으며, 올해 독립 리서치 기업인 세미콘리서치랩을 설립해 글로벌 반도체 시장과 메모리 산업 동향을 분석하고 있다.4F²란⋯같은 면적에 D램 더 많이 넣는 기술4F²는 D램에서 데이터를 저장하는 가장 작은 단위인 '셀(Cell)' 하나가 차지하는 면적을 의미한다. F는 반도체 회로의 최소 선폭을 나타내며, 4F²는 가로 2F와 세로 2F의 공간에 셀 하나를 배치하는 구조다.삼성전자 4F2 DRAM 본딩 구조. [사진=미래에셋증권 리서치센터, 삼성전자]현재 널리 사용되는 6F² 구조보다 셀 하나가 차지하는 면적을 약 33% 줄일 수 있다. 같은 선폭과 면적을 기준으로 이론적으로는 50% 더 많은 셀을 배치할 수 있다는 의미다.쉽게 말해 같은 크기의 건물 안에서 방의 구조를 효율적으로 바꿔 더 많은 방을 만드는 것과 비슷하다.다만 이를 구현하려면 트랜지스터 구조와 제조 공정에 변화가 필요하다. 셀 면적을 줄이는 것뿐 아니라 불량률을 낮추고 안정적인 생산 수율을 확보하는 것이 핵심 과제다."대량 양산했다면 MI 장비 들어갔어야"노 대표는 CXMT의 기술 개발 발표와 실제 대량 생산 능력을 구분해야 한다고 강조했다.중국 CXMT 관련 이미지. [사진=로...