SK하이닉스, 美 패키징 이어 전공정 투자도 검토…반도체 관세는 변수(종합)

인디애나에 5.5조 투자…2029년 HBM4E 양산 곽노정 "조건 맞으면 어디든"…업계선 美·日 신규 팹 후보 거론 2030년까지 메모리 부족 전망…美 관세 압박도 변수 [아이뉴스24 권서아 기자] SK하이닉스가 미국 첫 공장(팹) 건설에 들어갔다. 우선 40억 달러 이상을 투자해 인공지능(AI) 메모리 핵심인 고대역폭 메모리(HBM) 첨단 패키징 팹을 짓는다. 업계의 관심은 벌써 다음 단계로 향하고 있다.미국에서 D램 웨이퍼를 직접 생산하는 전공정 팹까지 추가로 건설할지 여부다.AI 확산으로 메모리 공급 부족이 장기화할 것으로 예상되는 데다, 미국 정부의 현지 생산 확대 압박까지 거세지고 있어 SK하이닉스의 추가 투자 가능성에 관심이 쏠린다.27일(현지시간) 미국 인디애나주 웨스트라피엣에서 열린 SK하이닉스의 어드밴스트 패키징 생산기지 기공식 현장. [사진=SK하이닉스]美 패키징 팹 첫 삽…전공정 투자도 열어둬SK하이닉스는 27일(현지시간) 미국 인디애나주 웨스트라피엣에서 AI 메모리용 첨단 패키징 생산공장인 '인디애나 팹' 기공식을 열었다.인디애나 팹은 SK하이닉스가 미국에 짓는 첫 공장이다. 한국에서 생산한 D램 웨이퍼를 가져와 HBM 적층과 패키징, 테스트를 진행한 뒤 미국 고객사에 공급한다.투자 규모는 40억달러(약 5조5000억원) 이상이다. 2028년 10월 클린룸을 완공하고 2029년 3분기부터 다음 세대 제품인 HBM4E(7세대)를 양산할 계획이다. 현재 양산 중인 제품은 HBM4(6세대)다.곽노정 SK하이닉스 사장은 "미국은 최고의 고객과 연구역량, 생태계가 함께하는 AI 혁신의 중심지"라며 "인디애나 팹은 최초로 '메이드 인 USA' HBM을 제공하는 거점이 될 것"이라고 말했다.SK하이닉스의 어드밴스트 패키징 팹 조감도. [사진=SK하이닉스]업계에서는 패키징을 넘어 D램 웨이퍼를 직접 생산하는 전공정 팹까지 미국에 들어설지에 관심이 쏠리고 있다. 곽 사장은 미국 내 추가 팹 투자와 관련해 "물과 전력, 인재, 보조금 같은 자원이 제공되는 곳이 있다면 어디에든 열려 있다"고 밝혔다.전공정 투자까지 이뤄질 경우 SK하이닉스는 미국에서 D램 웨이퍼 생산부터 HBM 패키징까지 전·후공정을 모두 수행할 수 있게 된다. 다만 구체적인 투자 지역이나 시점은 정해지지 않았다.메모리 생산능력 2배로…추가 팹 필요성 커져추가 팹을 검토하는 배경으로는 폭증하는 AI 메모리 수요가 있다. 곽 사장은 이번 기공식...