DB하이텍, '일렉트로니카 인디아' 첫 참가...인도 팹리스 공략

전력반도체 SiC·GaN 앞세워 현지 신규 고객 발굴 BCD 누적 출하 900만장…자동차·산업용 시장 확대 1200V SiC 공정 검증 완료·650V GaN 연내 완료 [아이뉴스24 권서아 기자] DB하이텍이 실리콘카바이드(SiC)와 갈륨나이트라이드(GaN) 등 차세대 전력반도체 공정을 앞세워 성장하는 인도 반도체 설계(팹리스) 시장 공략에 속도를 낸다.DB하이텍은 다음달 16~18일 인도 벵갈루루에서 열리는 '일렉트로니카 인디아(electronica India) 2026'에 처음 참가한다고 20일 밝혔다.DB하이텍 부천 캠퍼스 외부 전경. [사진=DB하이텍]일렉트로니카 인디아는 전자부품과 시스템, 애플리케이션, 관련 솔루션을 아우르는 남아시아 대표 전자산업 전시회다.행사가 열리는 벵갈루루는 글로벌 정보기술(IT) 기업과 반도체 설계업체가 밀집해 '인도의 실리콘밸리'로 불린다.DB하이텍은 이번 전시에서 주력인 고전압 복합전압소자(BCD) 공정을 비롯해 SiC와 GaN 등 전력반도체 기술과 개발 현황을 집중 소개한다.현지 팹리스와 접점을 확대해 신규 반도체 위탁생산(파운드리) 고객 확보에도 나선다.핵심은 전력반도체다. DB하이텍의 대표 공정인 BCD는 누적 웨이퍼 출하량 900만장을 기록했다.장기간 축적한 양산 경험을 바탕으로 기존 모바일·소비자용 제품에서 자동차와 산업용 등 고부가가치 분야로 적용처를 확대하고 있다.전력반도체 공정 개발도 속도를 내고 있다.최근 1200볼트(V) SiC 모스펫(MOSFET) 공정의 검증(Qualification)을 완료했으며, 현재 전략 고객을 대상으로 해당 공정을 적용한 제품 성능 평가를 진행 중이다.650V GaN 공정은 올해 12월까지 검증을 마칠 계획이다.SiC와 GaN은 기존 실리콘 반도체보다 고전압·고온 환경에서 전력 효율이 높아 전기차와 충전 인프라, 산업용 장비 등으로 활용 범위가 확대되고 있다.DB하이텍은 전력반도체 외에도 엑스레이(X-ray), 글로벌 셔터(Global Shutter), SPAD(Single Photon Avalanche Diode) 등 특화 이미지센서(CIS)와 혼합 신호(Mixed-Signal/RF) 공정 기술을 함께 공개한다.DB하이텍 관계자는 "인도는 현지 팹리스와 반도체 생태계가 성장하며 새로운 사업 기회가 확대되고 있는 시장"이라며 "이번 일렉트로니카 인디아 참가를 통해 현지 고객과의 접점을 넓히고, 전력반도체 및 특화 공정 경쟁력을 ...