주성엔지니어링, 올해 R&D 비중 40% 육박…'ALG' 기술 확장 속도

상반기 R&D 453억원으로 매출 대비 39.45% 400도 이하 화합물 박막 구현…3·5족 태양광 연내 상용화 목표 용인 제2연구소 1048억 투자해 2028년 6월 완공 SK하이닉스·中 CXMT 증설...ALD 수요 증가 기대 [아이뉴스24 권서아 기자] 반도체·디스플레이·태양광 장비 기업인 주성엔지니어링이 매출의 40%에 가까운 금액을 연구개발(R&D)에 투입하고 있다. 주력인 원자층증착(ALD)을 넘어 원자층성장(ALG)과 화합물 반도체로 기술 영역도 넓히고 있다.2일 주성엔지니어링 반기보고서에 따르면 올해 상반기 연구개발비는 약 452억7200만원으로 매출(약 1148억원)의 39.45%에 달했다. 지난해(누적 기준)에도 매출의 34.4%인 약 1068억7200만원을 R&D에 썼다.황철주 주성엔지니어링 회장이 반도체 공정에 대해 설명하고 있다. [사진=주성엔지니어링]R&D 투자 부담에도 2분기 실적은 전 분기보다 개선됐다. 매출은 약 598억8100만원으로 전년 동기보다 24% 감소했지만 전 분기 대비 9.1% 늘었다. 영업이익은 약 14억2300만원으로 전년 동기보다 78.4% 줄었으나 1분기 적자에서 흑자로 돌아섰다. 영업이익률은 2.4%를 기록했다.400도 이하서 화합물 박막 성장…ALG 적용 확대주성이 R&D를 집중하는 분야 중 하나는 ALG다. 지난 5월에는 '차세대 트랜지스터 풀 통합 ALG 반도체 제조장비'를 글로벌 반도체 기업에 처음 출하했다.ALD가 눈이 한 겹씩 쌓이듯 원자를 층층이 입히는 기술이라면, ALG는 눈 결정이 씨앗을 중심으로 자라듯 박막을 성장시키는 방식이다. 주성은 이를 활용해 수직으로 쌓는 차세대 트랜지스터 구조 구현을 추진하고 있다.주성엔지니어링의 원자층성장(ALG)· 원자층증착(ALD)· 화학기상증착(CVD) 공정용 반도체 증착장비 '가이던스(Guidance) 시리즈'. [사진=주성엔지니어링]화합물 반도체 기술도 개발하고 있다. 주성은 기판 종류와 관계없이 400도 이하에서 3·5족과 3·6족 화합물 박막을 성장시키는 기술을 확보했다고 밝혔다. 기존 공정이 1000도 이상의 높은 온도와 기판 조건 등에 제약을 받았던 점을 개선한 것이 특징이다.3·5족과 3·6족 화합물은 실리콘보다 전자 이동도가 높아 반도체의 동작 속도를 높이고 전력 소모와 발열을 줄이는 데 유리하다.주성은 ALG 기반 화합물 기술을 반도체뿐 아니라 디스플레이와 ...